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Insertion of the AGS layer at the CIGSe/ITO interface: A way to reduce the formation of the GaOx interfacial phase in CIGSe solar cells

학술지명 SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS ISSN 0927-0248
SCI 유무 SCI 게재연월 201805
표준화된 순위정보영향력지수 85.51724138 Vol.
IF 4.784 Citation
저자 Muhammad Saifullah,윤재호,박주형,곽지혜,유진수,조준식,김기환,Rauf Shahzad
초록
Keyword
과제명 전자기 극한물성 구조체 기술
연구기관 한국에너지기술연구원
연구책임자 윤재호
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